Дефекты в кристаллах курсовая работа

05.10.2019 Ева DEFAULT 3 comments

Два или четыре атома могут поменяться местами. К ним относятся скопления вакансий, образующие поры и каналы; частицы, оседающие на различных дефектах декорирующие , например пузырьки газов, пузырьки маточного раствора; скопления примесей в виде секторов песочных часов и зон роста. Предэкспоненциональный множитель D0 и Q не зависят от температуры. Метод электронного парамагнитного резонанса. Точечные дефекты малы во всех трех измерениях, их размеры по всем направлениям не больше нескольких атомных диаметров;. Можно по формулам 2. Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия.

При перемещении примесных межузельных атомов обнаружены специфические эффекты. Миграция смешанных гантелей примесь -- атом матрицы оказалась более сложным процессом, чем перемещение собственных межузельных атомов.

Дефекты в кристаллах курсовая работа 9875302

Здесь помимо акта миграции, аналогичного перемещению собственной гантели, предсказано еще два необычных процесса: эффект клетки caging и петляние looping [4]. Эффект клетки возникает из-за достаточно легкой миграции примеси по симметричным эквивалентным позициям внутри кристаллографической ячейки. Петляние мигрирующего внедрения с малой энергией активации вокруг примеси приводит к изменению ориентации смешанной гантели на противоположную.

Как в первом, так и во втором случаях мигрирующий дефект, попадая в такие ситуации, как бы захватывается и начинает двигаться в ограниченной области кристалла.

Дислокации возникают в процессе роста кристалла; при его пластической деформации и во многих других случаях. Отклонения от идеальной решетки могут быть временными и постоянными. Автоионная микроскопия -- это метод прямого наблюдения кристаллической решетки металлов и сплавов с атомарным разрешением. Математические модели, демонстрирующие характер распределения мощности электромагнитного поля в лазерных кристаллах.

Этот термин обычно применяют при рассмотрении облегченной диффузии вдоль линейных дефектов в кристаллах -- дислокаций. Простейшие дислокации краевые представляют собой дефект в виде незавершенной внутри кристалла атомной полуплоскости. В электронном микроскопе поле атомных смещений вокруг края такой полуплоскости ядро дислокации наблюдается как темная линия. Первые заключения, которые можно сделать анализируя миграцию таких дефектов, как вакансия или межузельный атом около ядра дислокации, подсказывали движение этих точечных дефектов в ту область дислокации, где их присутствие производит наибольшее снятие напряжения.

4383707

Так, вакансия должна притягиваться в область сжатия над крайним атомным рядом лишней полуплоскости, а межузельный дефекты в кристаллах курсовая работа -- в область расширения, расположенную снизу полуплоскости. Но такое диффузионное движение дефектов в окрестности ядра дислокации скорее можно отнести к захвату дислокацией мигрирующих дефектов, когда она играет роль ловушки. В то же время экспериментально неоднократно отмечалась ускоренная трубочная диффузия вдоль дислокации [5].

В деталях такой диффузии помог разобраться компьютерный эксперимент [6]. На линиях краевых дислокаций путем удаления одного из атомов создавалась единичная ступенька.

Акт миграции моделировался дискретным перемещением одного из крайних атомов ступеньки в направлении вакансии. Кроме того, удалось оценить радиус области ускоренной диффузии, который составил А.

Результаты этих расчетов, указывающих на возможность ускоренной дефекты в кристаллах курсовая работа по дислокациям, были подтверждены и другими авторами. Учитывая, что дислокации пронизывают практически все реальные кристаллы, особенно деформированные, следует ожидать, что вклад трубочной диффузии в диффузионный перенос вещества будет существенным. Как известно, поликристаллы состоят из отдельных разориентированных участков, внутри которых сохранена монокристаллическая структура.

Такие участки называются зернами, а границы их раздела -- границами зерен. Границы зерен являются поверхностными дефектами. При малых углах разориентации зерен границы зерен содержат большое количество дислокаций, о которых речь шла выше. Поэтому и здесь следует ожидать ускоренной диффузии, что и подтверждается экспериментально.

При больших углах разориентации зерен структура их границ начинает напоминать вещество в аморфном состоянии или жидкость. Такое рыхлое состояние вещества также способствует облегченной диффузии вдоль границ зерен в поликристаллах.

Урок 211. Дефекты в кристаллах. Управление механическими свойствами материалов

Перечень механизмов миграции по дефектным местам в кристаллах постоянно пополняется по мере все более углубленного изучения дефектов кристаллического строения вещества. Включение того или иного механизма в процесс диффузии зависит от многих условий: от подвижности дефекты в кристаллах курсовая работа дефекта, его концентрации, температуры кристалла и других факторов.

Поэтому диффузия по дефектным местам в кристаллах имеет специфические особенности. Прежде всего она идет более легко, чем диффузия по бездефектным механизмам. Но ее источники небезграничны: концентрации дефектов в процессе диффузии практически всегда убывают за счет аннигиляции разноименных дефектов вакансий и межузельных атомовухода дефектов на так называемые стоки границы зерен в поликристаллах, поверхность кристалла и т.

Но если концентрация дефектов велика например, в случае постоянного их воспроизводства в материалах атомных реакторов, материалах космических аппаратових роль в диффузии настолько возрастает, что приводит к так называемой ускоренной диффузии, ускоренным фазово-структурным превращениям в материалах, ускоренной ползучести материалов под нагрузкой и т.

Физические основы электронных устройств. Несовершенная область вокруг линии ВС называется винтовой дислокацией. Скачать Спецвыпуск VIII внутритехникумовская научно-методическая конференция "Приоритетные направления повышения эффективности и качества подготовки специалистов" pdf. Метод основан на том, что вакансии крайне мало изменяют параметр решетки, но увеличивают объем кристалла, а значит уменьшают его плотность.

Суворов А. Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах. Shewmon P. Diffusion in Solids. Диффузия в твердых телах. Schober T. Фидельман В.

Дефекты, дислокации кристаллической структуры

Кристаллическое и аморфное состояния твердых тел, причины точечных и линейных дефектов. Зарождение и рост кристаллов. Искусственное получение драгоценных камней, твердые растворы и жидкие кристаллы. Оптические свойства холестерических жидких кристаллов. Понятие и классификация дефектов в кристаллах: энергетические, электронные и атомные.

Основные несовершенства кристаллов, образование точечных дефекто, их концентрация и скорость перемещения по кристаллу.

Диффузия частиц за счет движений вакансий. Физика твердого тела — один из столпов, на которых покоится современное технологическое общество. Физическое строение твердых тел.

Симметрия и классификация кристаллов. Особенности деформации и напряжения. Дефекты кристаллов, способы повышения прочности. Структура кристаллов.

2.3. Радиационные дефекты

Роль, предмет и задачи физики твердого тела. Кристаллические и аморфные тела. Типы кристаллических решеток. Типы связей в кристаллах. Кристаллические структуры твердых тел. Жидкие кристаллы.

Дефекты в кристаллах курсовая работа 9409

Дефекты кристаллов. Рентгеновский структурный анализ, его сущность и дефекты в кристаллах курсовая работа. Исследование аморфных материалов и частично упорядоченных объектов. Строение реальных металлов и дефекты кристаллического строения. Особенности уширения спектральных линий в газах и плазме. Определение жидких кристаллов, их сущность, история открытия, свойства, особенности, классификация и направления использования.

Характеристика классов термотропных жидких кристаллов. Трансляционные степени свободы колончатых фаз или "жидких нитей". Понятие атомного номера элемента в таблице Менделеева. Сопоставление квантовых чисел с определяемыми ими категориями. Связь между атомами в металлах. Классификация дефектов строения кристаллов. Переход вещества из одного агрегатного состояния в другое.

История развития представления о жидких кристаллах. Жидкие кристаллы, их виды и основные свойства. Прохождение частиц через кристалл сопровождается сложными процессами, среди которых основными являются:. Для возникновения радиационных дефектов наибольшее значение имеют упругие столкновения быстрых частиц с дефекты в кристаллах курсовая работа кристалла.

Если энергия, переданная в результате столкновения, превышает некоторое значение, то атом, выбитый из узла решётки, оставляет вакансию и движется через кристалл. Наименьшее значение энергиикоторую необходимо передать одному из атомов кристалла, чтобы он оказался в ближайшей междоузельной позиции, называют пороговой энергией. Если энергия, переданная атому быстрой частицей, меньшето смещения не происходит, а возникают лишь упругие волны, энергия которых переходит в энергию теплового движения атомов.

Для большинства кристаллов 25 эВ для сравнения, энергия связи кристаллов 10 эВ. При этом если значение энергии смещённых атомов, называемых атомами отдачи, значительно превышаетто эти первичные атомы отдачи создают в свою очередь вторичные атомы отдачи и т.

Могут наблюдаться следующие случаи: Твердость одинакова, если образец и кристалл взаимно не царапают друг друга.

Информация и информационное общество реферат16 %
Советский тыл в годы великой отечественной войны доклад40 %
Реферат на тему смывающие и обеззараживающие средства18 %

Возможно, что оба кристалла друг друга царапают, поскольку верхушки и выступы кристалла могут быть тверже, чем грани или плоскости спайности. Поэтому можно поцарапать грань дефекты в кристаллах курсовая работа гипса или плоскость его спайности вершиной другого кристалла гипса. Минерал царапает первый образец, а на нем делает царапину образец, а на нем делает царапину образец более высокого класса реферат фгос его внедрение. Его твердость находится посредине между используемые для сравнения образцами, и ее можно дефекты в кристаллах курсовая работа в полкласса.

Дефекты Одномерные дефекты представляют собой дефекты кристалла, размер которых по одному направлению много больше параметра решетки, а по двум другим — соизмерим с. Влияние дефектов на физические свойства кристаллов. Избыточные ионы натрия остаются на поверхности, электроны диффундируют в объемах кристалла ионы хлора диффундируют к поверхности, оставляя равное количество анионных вакансий, обладающих эффективным положительным зарядом Так кристаллы хлорида натрия приобретают одинаковую зеленовато — желтую окраску при нагревании их как в парах натрия, так и в парах кальция.

Основные термины генерируются автоматически : дефект, кристалл, твердость, минерал, кристаллическая решетка, свойство, реальный кристалл, граница области, желтая окраска, физическое свойство кристаллов. Исследование физических свойств и областей применения Получение и применение фотонных кристаллов Введение дефектов в такие кристаллы позволяет сделать внутри фотонной запрещенной зоны определенные состояния, на которых может быть локализован свет.

Проблемы, возникающие при изучении структуры и свойств Конкретная область применения материала подбирается только опытным путем. Общие закономерности образования -центров в кристаллах Солнечные ячейки на основе перовскитов Статья в журнале Солнечные элементы данного типа имеют кристаллическую структуру, схожую с кристаллической решеткой перовскита минерала титаната После полного растворения в оба раствора добавляют раствор йодида калия, после чего раствор приобретает ярко- желтый цвет.

Влияние дисперсионной среды на кристаллизацию Особенности дефектообразования на поверхности монокристалла На наноуровне свойства полупроводников определяются состоянием поверхности [1] Откачка ампул производилась до мм. Анализ СЗМ-кадров скола показал наличие дефектов типа террас, двойников.

Дефекты кристаллов и способы их устранения

Влияние механической прочности и остаточных напряжений на Прочностные свойства реальных твердых тел существенно зависят от напряженно-деформированного состояния в тех областяхгде деформации превосходят предел В легированной фосфором части пластины изменяется постоянная кристаллической решетки.

Как издать спецвыпуск? Вакансии могут выходить на поверхность, и поэтому говорят об испарении дефектов. При пластической деформации металлов например, ковкепрокаткегенерируются многочисленные дислокации, по-разному ориентированные в пространстве, что затрудняет разрушение кристалла по сетке дислокаций.

  • Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
  • Линейные дефекты имеют атомные размеры в двух измерениях, а в третьем - они значительно больше размера, который может быть соизмерим с длиной кристалла;.
  • Вакансию часто называют - дефект по Шотки.
  • Общее определение: дислокация — граница области незавершенного сдвига в кристалле.
  • Дисклинация — граница области незавершенного поворота в кристалле.
  • Гантельный механизм непрямое перемещение межузель-ного атома в кристаллической решетке альфа-железа изображен на рис.

Таким образом увеличивается прочность металла, но в то же время снижается пластичность. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. У этого термина существуют и другие значения, см. Перемещение атома на вакантное место в слое плотнейшей упаковки.

Изменение энергии атома при перемещении его в вакантный узел. Основная статья: Дислокация кристаллография. Категории : Физика твёрдого тела Дефекты кристалла.

Дефекты в кристаллах курсовая работа 7559

Пространства имён Статья Обсуждение. Просмотры Читать Править Править код История. Оптические свойства холестерических жидких кристаллов. Эффекты, возникающие в кристаллах полупроводников и диэлектриков при механическом возбуждении ультразвуковыми колебаниями.

Дефекты в кристаллах курсовая работа ZnS с примесью хрома, выращенные из расплава под давлением инертного газа. Метод электронного парамагнитного резонанса. Конструктивные особенности оптических резонаторов для твердотельных лазеров. Перспективы эффективного применения градиентных лазеров. Математические модели, демонстрирующие характер распределения мощности электромагнитного поля в лазерных кристаллах. Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.

Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке. Главная База знаний "Allbest" Физика и энергетика Дефекты в кристаллах - подобные работы. Дефекты в кристаллах Понятие и классификация дефектов в кристаллах: энергетические, электронные и атомные.